I mí Mheán Fómhair 2024, d'éirigh leis an saotharlann an fhoinse solais léasair a chomhtháthaíodh sa sliseanna sileacain-bhunaithe a lasadh, agus is é sin an chéad réadú rathúil ar an teicneolaíocht seo sa tSín freisin.
Úsáideann an éacht seo an teicneolaíocht chomhtháthaithe ilchineálach a d'fhorbair Jiufengshan Laboratory, agus críochnaíonn sé an próiseas comhtháthú léasair fosfíde indium taobh istigh den 8-orlach SOI wafer tar éis próiseas casta.
Tugtar "sliseanna as solas" ar an teicneolaíocht seo sa tionscal, a úsáideann comharthaí optúla le feidhmíocht tarchurtha níos fearr chun comharthaí leictreacha a athsholáthar le haghaidh tarchurtha, rud atá ina bhealach tábhachtach chun an tarchur sonraí comhartha idir sceallóga a dhíbirt, agus is é an cuspóir lárnach é. an fhadhb a réiteach go bhfuil an comhartha leictreach idir-sliseanna reatha gar don teorainn fhisiceach.
Beidh ról réabhlóideach aige maidir le hionaid sonraí, ionaid ríomhaireachta, sliseanna CPU/GPU, sliseanna AI agus réimsí eile a chur chun cinn.
Meastar gur réiteach idéalach iad idirnaisc optúla ar-sliseanna atá bunaithe ar chomhtháthú optoelectronic atá bunaithe ar sileacain chun briseadh tríd na baic a bhaineann le forbairt teicneolaíochta ciorcaid chomhtháite sa ré iar-Moore, amhail tomhaltas cumhachta, bandaleithead, agus latency.
Faoi láthair, is é an dúshlán is deacra maidir le forbairt an ardán fótóinic sileacain lán-chomhtháite ná forbairt agus comhtháthú "croí" sliseanna fótóinic sileacain, is é sin, an fhoinse solais ar an tsubstráit sileacain is féidir solas a astú le héifeachtacht ard. . Tá an teicneolaíocht seo ar cheann den bheagán naisc bhána i réimse na optoelectronics sa tSín.
Chomhoibrigh foireann próisis fótóinic sileacain Saotharlann Jiufengshan le comhpháirtithe chun dul i ngleic le príomhfhadhbanna ar 8-bhríscí fótóinic sileacain orlach, grán epitaxial ábhar léasair III-V nasctha go heitigineach, agus ansin rinne siad próiseas monaraithe feiste-ar-sliseanna atá comhoiriúnach le CMOS. , rud a d'éirigh leis na deacrachtaí a bhaineann le dearadh agus fás struchtúir ábhar III-V a réiteach, toradh íseal nascáil ábhair-wafer, agus patrúnú sceallóg comhtháite ilchineálach agus rialú eitseála. Tar éis beagnach deich mbliana de ghabháil suas agus dul i ngleic le príomhfhadhbanna, d'éirigh linn ar deireadh an léasair a soilsiú sa glitter agus thuig muid an "solas sliseanna".
